AUIRF7739L2TR1-CT

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

沒找到與 " AUIRF7739L2TR1-CT " 相關(guān)的供應(yīng)商

您可以：

1. 縮短或修改您的搜索詞，重新搜索

2. 發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù) 發(fā)布緊急采購

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： AUIRF7749L2TR AUIRF7759L2TR AUIRF7769L2TR AUIRF7799L2TR AUIRF7805Q AUIRF7805QTR AUIRF8736M2TR AUIRF8739L2TR AUIRF9540N

AUIRF7739L2TR1-CT PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)

AUIRF7739L2TR1-CT 技術(shù)參數(shù)

AUIRF7739L2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET2 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:46A（Ta），270A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1 毫歐 @ 160A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:330nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11880pF @ 25V 功率 - 最大值:3.8W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DirectFET? 等距 L8 供應(yīng)商器件封裝:DIRECTFET L8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 AUIRF7738L2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 315A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:35A（Ta），130A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 毫歐 @ 109A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:194nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7471pF @ 25V 功率 - 最大值:3.3W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DirectFET? 等距 L6 供應(yīng)商器件封裝:DIRECTFET L6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 AUIRF7737L2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 315A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:31A（Ta），156A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.9 毫歐 @ 94A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:134nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5469pF @ 25V 功率 - 最大值:3.3W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DirectFET? 等距 L6 供應(yīng)商器件封裝:DIRECTFET L6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 AUIRF7736M2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 179A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:22A（Ta），108A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 65A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:108nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4267pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DirectFET? 等距 M4 供應(yīng)商器件封裝:DIRECTFET? M4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,800 AUIRF7734M2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 17A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:17A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.9 毫歐 @ 43A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2545pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DirectFET? 等距 M2 供應(yīng)商器件封裝:DIRECTFET? M2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,800 AUIRF9952Q AUIRF9952QTR AUIRF9Z34N AUIRFB3207 AUIRFB3806 AUIRFB4410 AUIRFB4610 AUIRFB8405 AUIRFB8407 AUIRFB8409 AUIRFBA1405 AUIRFL014N AUIRFL014NTR AUIRFL024N AUIRFL024NTR AUIRFN7107TR AUIRFN7110TR AUIRFN8401TR