B82111EC24C1

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B82111EC24C1 技術(shù)參數(shù)

B82111EC24 功能描述:56μH Unshielded Wirewound Inductor 1.5A 300 mOhm Axial 制造商:epcos (tdk) 系列:B82111E 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:56μH 容差:±20% 額定電流:1.5A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:300 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:70MHz 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:軸向大小/尺寸:0.335" 直徑 x 1.389" 長（8.50mm x 34.00mm）高度 - 安裝（最大值）:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82111EC23 功能描述:40μH Unshielded Wirewound Inductor 2A 180 mOhm Axial 制造商:epcos (tdk) 系列:B82111E 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:40μH 容差:±20% 額定電流:2A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:180 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:90MHz 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:軸向大小/尺寸:0.335" 直徑 x 1.389" 長（8.50mm x 34.00mm）高度 - 安裝（最大值）:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82111EC22 功能描述:22μH Unshielded Wirewound Inductor 3A 70 mOhm Axial 制造商:epcos (tdk) 系列:B82111E 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:22μH 容差:±20% 額定電流:3A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:70 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:110MHz 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:軸向大小/尺寸:0.354" 直徑 x 1.389" 長（9.00mm x 34.00mm）高度 - 安裝（最大值）:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82111EC21 功能描述:12μH Unshielded Wirewound Inductor 4A 40 mOhm Axial 制造商:epcos (tdk) 系列:B82111E 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:12μH 容差:±20% 額定電流:4A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:40 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:140MHz 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:軸向大小/尺寸:0.374" 直徑 x 1.389" 長（9.50mm x 34.00mm）高度 - 安裝（最大值）:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82111EC20 功能描述:7μH Unshielded Wirewound Inductor 6A 20 mOhm Axial 制造商:epcos (tdk) 系列:B82111E 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:7μH 容差:±20% 額定電流:6A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:20 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:180MHz 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:軸向大小/尺寸:0.236" 直徑 x 1.412" 長（6.00mm x 29.00mm）高度 - 安裝（最大值）:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82131A5151M B82131A5152M B82131A5202M B82131A5301M B82131A5301M000 B82131A5302M B82131A5401M B82131A5401M000 B82131A5402M B82131A5701M B82132A5151M B82132A5151M000 B82132A5152M B82132A5202M B82132A5301M B82132A5301M000 B82132A5302M B82132A5302M000