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B82462G4474M

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  • B82462G4474M
    B82462G4474M

    B82462G4474M

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • EPCOS (TDK)

  • 標準封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百正品

  • B82462G4474M
    B82462G4474M

    B82462G4474M

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：吳經理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • EPCOS/愛普科斯

  • NA

  • 2021+

  • -

  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應★...

  • B82462G4474M000
    B82462G4474M000

    B82462G4474M000

  • 深圳市亞泰盈科電子有限公司
    深圳市亞泰盈科電子有限公司

    聯(lián)系人：鄭小姐

    電話：15338868823

    地址：公司地址：★★深圳市福田區(qū)佳和大廈B座1410-1411

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 6500

  • N/A

  • SMD

  • -

  • 全新原裝數(shù)量均有多電話咨詢

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
B82462G4474M PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • TDK Epcos
  • 功能描述
  • SMT-INDUCTOR 6X 6 470UH 0.24A
  • 制造商
  • TDK EPCOS
  • 功能描述
  • POWER SMT-INDUCTOR 6X6 470uH 0.24A
  • 制造商
  • TDK Epcos
  • 功能描述
  • Power inductor SMD shielded 470uH
B82462G4474M 技術參數(shù)
  • B82462G4473M 功能描述:47μH Shielded Wirewound Inductor 750mA 310 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:47μH 容差:±20% 額定電流:750mA 電流 - 飽和值:600mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:310 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬（6.30mm x 6.30mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標準包裝:1 B82462G4472M 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 2A 40 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:2A 電流 - 飽和值:1.8A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:40 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬（6.30mm x 6.30mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標準包裝:1 B82462G4334M 功能描述:330μH Shielded Wirewound Inductor 270mA 2.3 Ohm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:330μH 容差:±20% 額定電流:270mA 電流 - 飽和值:220mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:2.3 歐姆最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬（6.30mm x 6.30mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標準包裝:1 B82462G4333M 功能描述:33μH Shielded Wirewound Inductor 850mA 230 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:33μH 容差:±20% 額定電流:850mA 電流 - 飽和值:720mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:230 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬（6.30mm x 6.30mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標準包裝:1 B82462G4332M 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 2.3A 31 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:2.3A 電流 - 飽和值:2.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:31 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬（6.30mm x 6.30mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標準包裝:1 B82464A2103M B82464A2104K B82464A2152M B82464A2153K B82464A2154K B82464A2222M B82464A2223K B82464A2224K B82464A2332M B82464A2333K B82464A2334K B82464A2362M B82464A2472M B82464A2473K B82464A2682M B82464A2683K B82464A4102M B82464A4103M
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