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BF991,215

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • BF991,215
    BF991,215

    BF991,215

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • NULL

  • NULL

  • 09/10+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • BF991,215
    BF991,215

    BF991,215

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • 原廠封裝

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 代理此型號(hào).原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • BF991,215
    BF991,215

    BF991,215

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：史仙雁

    電話：19129911934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-82813018

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

  • 2300

  • NXP

  • ROHS

  • 13+

  • -

  • 全新原裝正品 歡迎來(lái)電0755-8286...

  • BF991,215
    BF991,215

    BF991,215

  • 深圳市企諾德電子有限公司
    深圳市企諾德電子有限公司

    聯(lián)系人：胡

    電話：13480313979

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1002號(hào)賽格廣場(chǎng)54樓5403B-5404AB

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • NXP

  • N/A

  • 22+

  • -

  • 原裝正品 專業(yè)BOM配單

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共22條 
  • 1
BF991,215 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 N-CH DUAL GATE 20V VHF
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 配置
  • Dual Dual Gate
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 6 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 6 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 30 mA
  • 功率耗散
  • 180 mW
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • SC-88
  • 封裝
  • Reel
BF991,215 技術(shù)參數(shù)
  • BF959ZL1G 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 頻率 - 躍遷:700MHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BF959ZL1 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 頻率 - 躍遷:700MHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BF959-UV1/3 功能描述:CCFL, Ultraviolet (UV) Narrow Spectrum 375V Start, 150V Operating 5mA 0.15μW, cm2 @ 1" 9.0mm x 59mm 制造商:jkl components corp. 系列:- 零件狀態(tài):過(guò)期 大小/尺寸:9.0mm x 59mm 類型:CCFL - 紫外線（UV）窄頻譜 電壓:375V 啟動(dòng)，150V 操作 電流:5mA 輸出:0.15μW，cm2 @ 1" 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BF959RL1G 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 頻率 - 躍遷:700MHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BF959RL1 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 頻率 - 躍遷:700MHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BF998WR,115 BF999E6327HTSA1 BF999E6433HTMA1 BFA.0B.160.LN BFA.0E.100.NAS BFA.1E.100.NAS BFA.1E.103.BAS BFA.1K.100.NAE BFA.2E.100.NAS BFA.2K.100.KZS BFA.2K.100.NAS BFA.2V.100.NAZ BFA.3E.100.NAS BFA.3K.100.NAS BFA.3K.170.800EN BFA.4E.100.NAS BFA.4S.100.NAS BFA.5S.100.NAS
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