BFG21W115

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BFG21W115
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
PHI
〓〓全新〓〓
★最新批號★
-
假一罰十，百分百原裝正品

BFG21W115
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：何芝
電話：19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
PHILIPS
標(biāo)準(zhǔn)封裝
13+
-
全新原裝，現(xiàn)貨，價優(yōu)！

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您是不是要找： BFG25A/X,215 BFG25AW/X,115 BFG-30035-G22 BFG-30035-G23 BFG31,115 BFG310/XR,215 BFG310W/XR,115 BFG325/XR,215 BFG325W/XR,115

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
RF WIDEBAND TRANSISTOR NPN 4
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
TRANS NPN 15V .5A 18GHZ SOT343R

BFG21W115 技術(shù)參數(shù)

BFG21W,115 功能描述:TRANS NPN 15V .5A 18GHZ CMPAK-4 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:4.5V 頻率 - 躍遷:18GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:600mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 200mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應(yīng)商器件封裝:CMPAK-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFG198,115 功能描述:TRANS NPN 10V 8GHZ SC73 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:1W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 50mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SC-73 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFG135AE6327XT 功能描述:RF Transistor NPN 15V 150mA 6GHz 1W Surface Mount PG-SOT223-4 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:6GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:9dB ~ 14dB 功率 - 最大值:1W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BFG135,115 功能描述:TRANS NPN 150MA 15V 7GHZ SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:1W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SC-73 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFG10W/X,115 功能描述:RF Transistor NPN 10V 250mA 1.9GHz 400mW Surface Mount 4-SO 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:1.9GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:400mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:25 @ 50mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:250mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-343 反向插針供應(yīng)商器件封裝:4-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BFG35,115 BFG403W,115 BFG410W,115 BFG410W,135 BFG424F,115 BFG424W,115 BFG425W,115 BFG425W,135 BFG480W,115 BFG480W,135 BFG505,215 BFG505/X,215 BFG505/X,235 BFG520,215 BFG520,235 BFG520/X,215 BFG520/X,235 BFG520/XR,215