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BFT93W E6327(X1)

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    BFT93W E6327(X1)

    BFT93W E6327(X1)

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人：賴(lài)先生

    電話(huà)：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座27樓2702號(hào)

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 17895

  • INFINEON

  • SOT323

  • 2024+

  • -

  • 誠(chéng)諾原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
  • 1
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BFT93W E6327(X1) 技術(shù)參數(shù)
  • BFT93,215 功能描述:TRANS PNP 12V 5GHZ SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類(lèi)型:PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:2.4dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 30mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFT92W,115 功能描述:TRANS PNP 35MA 15V 4GHZ SOT323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類(lèi)型:PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:4GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:2.5dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 15mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25mA 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFT92E6327 功能描述:RF Transistor PNP 15V 25mA 5GHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類(lèi)型:PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:2dB ~ 3.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:8dB ~ 13.5dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:15 @ 15mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25mA 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BFT92,215 功能描述:TRANS PNP 25MA 15V 5GHZ SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類(lèi)型:PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:2.5dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 14mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25mA 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFT46,215 功能描述:JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:25V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:200μA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:10mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:1.2V @ 0.5nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5pF @ 10V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 功率 - 最大值:250mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFU520XRVL BFU520XVL BFU520YF BFU520YX BFU530AR BFU530AVL BFU530R BFU530VL BFU530WF BFU530WX BFU530XAR BFU530XRR BFU530XRVL BFU530XVL BFU550AR BFU550AVL BFU550R BFU550VL
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