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BSB165N15NZ3GXT

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
BSB165N15NZ3GXT 技術(shù)參數(shù)
  • BSB165N15NZ3 G 功能描述:MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):150V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):9A(Ta),45A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):16.5 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 110μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):35nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2800pF @ 75V 功率 - 最大值:78W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSB1270003 功能描述:212.5MHz LVPECL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V Enable/Disable 制造商:txc corporation 系列:BS 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 類型:XO(標(biāo)準(zhǔn)) 頻率:212.5MHz 功能:啟用/禁用 輸出:LVPECL 電壓 - 電源:3.3V 頻率穩(wěn)定度:±100ppm 工作溫度:-5°C ~ 85°C 電流 - 電源(最大值):- 等級(jí):- 安裝類型:表面貼裝 大小/尺寸:0.276" 長 x 0.197" 寬(7.00mm x 5.00mm) 高度:0.071"(1.80mm) 封裝/外殼:6-SMD,無引線(DFN,LCC) 電流 - 電源(禁用)(最大值):* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSB1270002 功能描述:212.5MHz LVPECL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V Enable/Disable 制造商:txc corporation 系列:BS 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 類型:XO(標(biāo)準(zhǔn)) 頻率:212.5MHz 功能:啟用/禁用 輸出:LVPECL 電壓 - 電源:3.3V 頻率穩(wěn)定度:±100ppm 工作溫度:0°C ~ 70°C 電流 - 電源(最大值):- 等級(jí):- 安裝類型:表面貼裝 大小/尺寸:0.276" 長 x 0.197" 寬(7.00mm x 5.00mm) 高度:0.071"(1.80mm) 封裝/外殼:6-SMD,無引線(DFN,LCC) 電流 - 電源(禁用)(最大值):* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSB104N08NP3GXUSA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):13A(Ta),50A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):10.4 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 40μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):31nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2100pF @ 40V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSB056N10NN3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):9A(Ta),83A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5.6 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):74nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):5500pF @ 50V 功率 - 最大值:78W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC010NE2LS BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSI BSC010NE2LSIATMA1 BSC011N03LS BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSI BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSTATMA1 BSC014N03LS G BSC014N03LSGATMA1 BSC014N03MS G BSC014N03MSGATMA1 BSC014N04LS BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSTATMA1 BSC014N06NS
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