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BSC037N03MSCG

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
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  • 封裝
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  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • BSC037N03MSCG
    BSC037N03MSCG

    BSC037N03MSCG

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話：0755-23903058

    地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • INFINEON/英飛凌

  • QFN8

  • 22+

  • -

  • 每一片都來自原廠，正品保證

  • BSC037N03MSCG
    BSC037N03MSCG

    BSC037N03MSCG

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：李先生

    電話：13760200702

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道五和大道山海商業(yè)廣場C棟706

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 20000

  • INFINEON

  • QFN8

  • 假一賠十??！

  • -

  • 絕對原裝現(xiàn)貨！

  • BSC037N03MSCG
    BSC037N03MSCG

    BSC037N03MSCG

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯(lián)系人：李燕兵

    電話：82525918

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • INFINEO

  • QFN8

  • 22+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨供應(yīng)

  • BSC037N03MSCG
    BSC037N03MSCG

    BSC037N03MSCG

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • QFN8

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • BSC037N03MSCG
    BSC037N03MSCG

    BSC037N03MSCG

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場D座16層18B

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • INFINEON

  • QFN8

  • 22+

  • -

  • 終端免費(fèi)提供樣品 可開13%增值稅發(fā)票

  • BSC037N03MSCG
    BSC037N03MSCG

    BSC037N03MSCG

  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：134242936540755-83690762

    地址：深圳市福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場A座1503

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 20000

  • INFINEO

  • QFN8

  • 09+

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨/特價(jià)

  • 1/1頁 40條/頁 共18條 
  • 1
BSC037N03MSCG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
BSC037N03MSCG 技術(shù)參數(shù)
  • BSC037N025S G 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:21A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.7 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:29nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3660pF @ 15V 功率 - 最大值:69W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSC036NE7NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.6 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 110μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:63.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4400pF @ 37.5V 功率 - 最大值:156W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8（5.15x6.15） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC035N10NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.5 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 115μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:87nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6500pF @ 50V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC035N04LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:21A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.5 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 36μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:64nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5100pF @ 20V 功率 - 最大值:69W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC034N06NSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.4 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.3V @ 41μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:41nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3000pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC042NE7NS3GATMA1 BSC046N02KS G BSC046N02KSGAUMA1 BSC046N10NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 BSC048N025S G BSC0500NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 BSC0502NSIATMA1 BSC0503NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 BSC050N03LS G BSC050N03LSGATMA1 BSC050N03MSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 BSC050NE2LS BSC050NE2LSATMA1 BSC052N03LS
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