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BSH111/WK3

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  • BSH111/WK3
    BSH111/WK3

    BSH111/WK3

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • PHILIPS

  • 05+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • BSH111/WK3
    BSH111/WK3

    BSH111/WK3

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • SOT23-3

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，假一罰十

  • BSH111/WK3
    BSH111/WK3

    BSH111/WK3

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯(lián)系人：李燕兵

    電話：82525918

    地址：深圳市福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • NXP

  • SOT23-3

  • 22+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨供應

  • BSH111/WK3
    BSH111/WK3

    BSH111/WK3

  • 深圳市桂鵬科技有限公司
    深圳市桂鵬科技有限公司

    聯(lián)系人：田小姐/高先生/李小姐

    電話：0755-828102988281039882810298

    地址：深圳市羅湖區(qū)寶安南路國都大廈-國麗15D（地王大廈周邊）

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 82810298

  • NXP恩智浦/PHILIPS飛利浦

  • SOT-23

  • 15+

  • -

  • 深圳現(xiàn)貨★原廠品質(zhì)★提供PCB板配單業(yè)務

  • 1/1頁 40條/頁 共16條 
  • 1
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BSH111/WK3 技術(shù)參數(shù)
  • BSH111,235 功能描述:MOSFET N-CH 55V 0.335A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:335mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1nC @ 8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 標準包裝:10,000 BSH111,215 功能描述:MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:335mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1nC @ 8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 標準包裝:1 BSH10-E 功能描述:Terminal Butt Splice, Inline, Individual Openings Connector Crimp 10-12 AWG Yellow 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 端子類型:對接接頭，直插式，單獨開口 進線數(shù):2 端接:壓接 線規(guī):10-12 AWG 絕緣:完全絕緣熱縮件 特性:銅焊縫 顏色:黃 標準包裝:20 BSH108,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.9A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:190pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:830mW（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 1A，10V 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 BSH105,235 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.05A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.05A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 600mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:570mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:152pF @ 16V 功率 - 最大值:417mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 標準包裝:10,000 BSH-120-01-F-D-EM2 BSH-120-01-F-D-LC BSH-120-01-F-D-LC-TR BSH-120-01-F-D-TR BSH-120-01-H-D BSH-120-01-H-D-A BSH-120-01-H-D-A-TR BSH-120-01-H-D-EM2 BSH-120-01-H-D-LC BSH-120-01-H-D-LC-TR BSH-120-01-L-D BSH-120-01-L-D-A BSH-120-01-L-D-A-LC BSH-120-01-L-D-A-TR BSH-120-01-L-D-EM2 BSH-120-01-L-D-LC BSH-120-01-L-D-LC-TR BSH-120-01-L-D-TR
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