BSN20W(M8)

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BSN20W(M8)
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯(lián)系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業(yè)執(zhí)照
19875
PHILIPS
SOT323
2024+
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絕對現貨

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BSN20W(M8) 技術參數

BSN20Q-7 功能描述:MOSFET NCH 50V 500MA SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:500mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.8 歐姆 @ 220mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:* 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,000 BSN20BKR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.265A SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:265mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.49nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:20.2pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.8 歐姆 @ 200mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 BSN20-7 功能描述:MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:500mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.8 歐姆 @ 220mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:40pF @ 10V 功率 - 最大值:600mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:1 BSN20,235 功能描述:MOSFET N-CH 50V 173MA SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:173mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 歐姆 @ 100mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:25pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標準包裝:10,000 BSN20,215 功能描述:MOSFET N-CH 50V 173MA SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:173mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 歐姆 @ 100mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:25pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標準包裝:1 BSO052N03S BSO064N03S BSO065N03MSGXUMA1 BSO072N03S BSO080P03NS3EGXUMA1 BSO080P03NS3GXUMA1 BSO080P03S H BSO080P03SHXUMA1 BSO080P03SNTMA1 BSO083N03MSGXUMA1 BSO094N03S BSO104N03S BSO110N03MSGXUMA1 BSO119N03S BSO130N03MSGXUMA1 BSO130P03S H BSO130P03SHXUMA1 BSO130P03SNTMA1