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BYM300A160DN13C_E3222

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  • BYM300A160DN13C_E3222
    BYM300A160DN13C_E3222

    BYM300A160DN13C_E3222

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

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BYM300A160DN13C_E3222 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • IGBT 模塊
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Infineon Technologies
  • 產(chǎn)品
  • IGBT Silicon Modules
  • 配置
  • Dual
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • 600 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 1.95 V
  • 在25 C的連續(xù)集電極電流
  • 230 A
  • 柵極—射極漏泄電流
  • 400 nA
  • 功率耗散
  • 445 W
  • 最大工作溫度
  • + 125 C
  • 封裝 / 箱體
  • 34MM
  • 封裝
BYM300A160DN13C_E3222 技術(shù)參數(shù)
  • BYM300A120DN2HOSA1 功能描述:MOD IGBT MED POWER 62MM-2 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:450A 功率 - 最大值:1000W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:- 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BYM13-60HE3/97 功能描述:Diode Schottky 60V 1A Surface Mount DO-213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:700mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500μA @ 60V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:80pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BYM13-60HE3/96 功能描述:Diode Schottky 60V 1A Surface Mount DO-213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:700mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500μA @ 60V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:80pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 BYM13-60-E3/97 功能描述:Diode Schottky 60V 1A Surface Mount DO-213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:700mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500μA @ 60V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:80pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BYM13-60-E3/96 功能描述:Diode Schottky 60V 1A Surface Mount DO-213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:700mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500μA @ 60V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:80pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BYM36E-TR BYM600A170DN2HOSA1 BYNT1614 BYNT2216 BYQ28E-100-E3/45 BYQ28E-100HE3/45 BYQ28E-150-E3/45 BYQ28E-150HE3/45 BYQ28E-200,127 BYQ28E-200/H,127 BYQ28E-200E,127 BYQ28E-200-E3/45 BYQ28E-200HE3/45 BYQ28EB-100-E3/81 BYQ28EB-100HE3/45 BYQ28EB-100HE3/81 BYQ28EB-150-E3/81 BYQ28EB-150HE3/45
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