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BZX79-C36@113

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BZX79-C36@113 技術參數
  • BZX79-C36,143 功能描述:Zener Diode 36V 400mW ±5% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 25.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:5,000 BZX79-C36,133 功能描述:Zener Diode 36V 400mW ±5% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 25.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:10,000 BZX79-C36,113 功能描述:DIODE ZENER 36V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 25.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:1 BZX79C36 A0G 功能描述:DIODE ZENER 36V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 25.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX79C36 功能描述:Zener Diode 36V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 25.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 BZX79C3V0 BZX79C3V0 A0G BZX79-C3V0,113 BZX79-C3V0,133 BZX79-C3V0,143 BZX79C3V0_T50A BZX79C3V0_T50R BZX79C3V3 BZX79C3V3 A0G BZX79-C3V3,113 BZX79-C3V3,133 BZX79-C3V3,143 BZX79C3V3_T50A BZX79C3V3_T50R BZX79C3V3-T50A BZX79C3V6 BZX79C3V6 A0G BZX79-C3V6,113
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