BZX85C51RLTA

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BZX85C51RLTA 技術參數

BZX85C51_T50R 功能描述:Zener Diode 51V 1W ±6% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:51V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:115 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 36V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:6,000 BZX85C51 R0G 功能描述:DIODE ZENER 51V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:115 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 36V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:5,000 BZX85C51 A0G 功能描述:DIODE ZENER 51V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:115 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 36V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:3,000 BZX85C51 功能描述:Zener Diode 51V 1W ±6% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:51V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:115 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 36V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1,000 BZX85C4V7-TR 功能描述:Zener Diode 4.7V 1.3W ±5% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:13 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85C5V1 BZX85C5V1 A0G BZX85C5V1 R0G BZX85C5V1_T50A BZX85C5V1_T50R BZX85C5V1-T50A BZX85C5V1-TAP BZX85C5V1-TR BZX85C5V6 BZX85C5V6 A0G BZX85C5V6 R0G BZX85C5V6_T50A BZX85C5V6_T50R BZX85C5V6-T50R BZX85C5V6-TAP BZX85C5V6-TR BZX85C62-TAP BZX85C62-TR