C2NA0009

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C2NA0009 技術(shù)參數(shù)

C2M1000170J-TR 功能描述:MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247 制造商:cree/wolfspeed 系列:C2M? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:1700V（1.7kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5.3A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 2A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.1V @ 500μA（標(biāo)準(zhǔn)）不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:13nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:200pF @ 1000V 功率 - 最大值:78W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-7（直引線）供應(yīng)商器件封裝:D2PAK（7-Lead）標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 C2M1000170J 功能描述:MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247 制造商:cree/wolfspeed 系列:C2M? 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:1700V（1.7kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5.3A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 2A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.1V @ 500μA（標(biāo)準(zhǔn)）不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:13nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:200pF @ 1000V 功率 - 最大值:78W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-7（直引線）供應(yīng)商器件封裝:D2PAK（7-Lead）標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 C2M1000170D 功能描述:MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-FET?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:1700V（1.7kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.9A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.1 歐姆 @ 2A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:13nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:191pF @ 1000V 功率 - 最大值:69W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 C2M0280120D 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-FET?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:370 毫歐 @ 6A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1.25mA（標(biāo)準(zhǔn)）不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:20.4nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:259pF @ 1000V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 C2M0160120D 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 17.7A TO-247 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-FET?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:17.7A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:196 毫歐 @ 10A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 500μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:32.6nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:527pF @ 800V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 C2PXG-1418G C2PXG-1418M C2PXG-1436G C2PXG-1436M C2PXG-1606G C2PXG-1606M C2PXG-1618G C2PXG-1618M C2PXG-1636G C2PXG-1636M C2PXG-2406G C2PXG-2406M C2PXG-2418G C2PXG-2418M C2PXG-2436G C2PXG-2436M C2PXG-4006G C2PXG-4006M