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DIA0881L1

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  • DIA0881L1
    DIA0881L1

    DIA0881L1

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人：張先生/雷小姐

    電話：0755-83795896

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道賽格廣場55樓5566室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 35600

  • PARTRON

  • NA

  • 21+原廠授權(quán)

  • -

  • ★原廠授權(quán)★價超代理★

  • DIA0881L1
    DIA0881L1

    DIA0881L1

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人：雷小姐

    電話：0755-2391507123915070（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務(wù)）

    地址：華強街道賽格廣場55樓5566室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 63200

  • PARTRON

  • NA

  • 2020+

  • -

  • ★★★真實庫存，假一賠十，原廠授權(quán)★★★

  • DIA0881L1
    DIA0881L1

    DIA0881L1

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：李先生

    電話：13760200702

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道五和大道山海商業(yè)廣場C棟706

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 100

  • PARTRON

  • NA

  • 假一賠十！

  • -

  • 絕對原裝現(xiàn)貨！

  • 1/1頁 40條/頁 共16條 
  • 1
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DIA0881L1 技術(shù)參數(shù)
  • DI9956T 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.7A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:80 毫歐 @ 2.2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:320pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 DI9435T 功能描述:MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.3A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 5.3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:950pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSOP（0.130"，3.30mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 DI9430T 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.3A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 5.3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 25μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:38nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1430pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，鷗翼型 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 DI2220V301R-10 功能描述:300nH Unshielded Wirewound Inductor 8A 10 mOhm Max 2220 (5650 Metric) 制造商:laird-signal integrity products 系列:DI 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:300nH 容差:±10% 額定電流:8A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:10 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2220（5650 公制） 大小/尺寸:0.220" 長 x 0.200" 寬（5.59mm x 5.08mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.152"（3.86mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DI2220V301R-00 功能描述:300nH Unshielded Wirewound Inductor 8A 10 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:DI 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:300nH 容差:±10% 額定電流:8A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:10 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.220" 長 x 0.200" 寬（5.59mm x 5.08mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.142"（3.60mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DIAGB5 DIAGB6 DIAMOND-E-12M DIAMOND-E-12M-PROMO DIAMOND-I-12M DIART110A DIART220A DIART24A DIART24D DIB01CB235A DIB01CD485A DIB01CM24100A DIBBC2314S21W DID-29AMMM-SL7A01 DID-29AMMM-SL7A02 DID-29AMMM-SL7A05 DID-29PFFP-SL8001 DID-29PFFS-SL8001
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