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DMC-40218N-SEW-B

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DMC-40218N-SEW-B PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • LCD MODULE 40X2 CHARACTER
  • RoHS
  • 類(lèi)別
  • 光電元件 >> 顯示器模塊 - LCD,OLED 字符和數(shù)字
  • 系列
  • DMC-40218
  • 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊
  • NHDev LCD Development Board
  • 產(chǎn)品變化通告
  • LCD Modules 3.0V Obsolescence 3/Nov/2011
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 50
  • 系列
  • NHD-0416B1Z-F
  • 顯示器類(lèi)型
  • STN - 超扭轉(zhuǎn)向列
  • 顯示模式
  • 穿透/反射式
  • 數(shù)字/字母數(shù)
  • 64
  • 外形L x W x H
  • 87.00mm x 60.00mm x 14.00mm
  • 可視范圍
  • 61.80mm L x 25.20mm W
  • 背光
  • LED - 綠
  • 顯示格式
  • 16 x 4
  • 字符尺寸
  • 4.75mm H x 2.95mm W
  • 字符格式
  • 5 x 8 點(diǎn)
  • 電源電壓
  • 5.0V
  • 點(diǎn)尺寸
  • 0.55mm W x 0.55mm H
  • 接口
  • -
  • 工作溫度
  • -20°C ~ 70°C
DMC-40218N-SEW-B 技術(shù)參數(shù)
  • DMC-40202NY-LY-AZE-BDN 功能描述:Character LCD Display Module Transmissive 5 x 8 Dots STN - Super-Twisted Nematic LED - Yellow/Green Parallel 182.00mm x 34.50mm x 15.10mm 制造商:kyocera international, inc. 系列:- 零件狀態(tài):過(guò)期 字符數(shù):80 顯示格式:40 x 2 字符格式:5 x 8 點(diǎn) 顯示類(lèi)型:STN - 超扭轉(zhuǎn)向列 顯示模式:可傳導(dǎo)的 字符大小:- 外形尺寸 L x W x H:182.00mm x 34.50mm x 15.10mm 可視范圍:152.50mm 長(zhǎng) x 16.50mm 寬 背光:LED - 黃/綠 電壓 - 電源:4.5 V ~ 5.5 V 點(diǎn)尺寸:- 接口:并聯(lián) 工作溫度:0°C ~ 50°C 文字顏色:黃 背景顏色:綠 標(biāo)準(zhǔn)包裝:140 DMC4015SSD-13 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.5A 8-SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8.6A,6.2A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):15 毫歐 @ 3A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):40nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):1810pF @ 20V 功率 - 最大值:1.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMC3021LSDQ-13 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8.5A,7A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):21 毫歐 @ 7A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):16.1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):767pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMC25D1UVT-7 功能描述:MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 和 P 溝道 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓(Vdss):25V,12V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):500mA,3.9A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4 歐姆 @ 400mA,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.9nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):27.6pF @ 10V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:TSOT-26 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMC25D0UVT-7 功能描述:MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 和 P 溝道 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓(Vdss):25V,30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):400mA,3.2A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4 歐姆 @ 400mA,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.7nC @ 8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):26.2pF @ 10V 功率 - 最大值:1.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:TSOT-26 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMC501010R DMC502010R DMC504010R DMC505010R DMC506010R DMC506E20R DMC561000R DMC561010R DMC561020R DMC561030R DMC561040R DMC561050R DMC561060R DMC561070R DMC5610E0R DMC5610L0R DMC5610M0R DMC5610N0R
配單專(zhuān)家

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