DR12-8R5UGB

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DR12-8R5UGB 技術(shù)參數(shù)

DR127-R47-R 功能描述:470nH Shielded Wirewound Inductor 17.9A 1.95 mOhm Nonstandard 制造商:eaton 系列:DR 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:470nH 容差:±20% 額定電流:17.9A 電流 - 飽和值:56A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.95 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.492" 長 x 0.492" 寬（12.50mm x 12.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.315"（8.00mm）標準包裝:1 DR127-8R2-R 功能描述:8.2μH Shielded Wirewound Inductor 6.32A 15.7 mOhm Nonstandard 制造商:eaton 系列:DR 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:8.2μH 容差:±20% 額定電流:6.32A 電流 - 飽和值:12.2A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:15.7 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.492" 長 x 0.492" 寬（12.50mm x 12.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.315"（8.00mm）標準包裝:1 DR127-821-R 功能描述:820μH Shielded Wirewound Inductor 650mA 1.47 Ohm Nonstandard 制造商:eaton 系列:DR 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:820μH 容差:±20% 額定電流:650mA 電流 - 飽和值:1.27A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.47 歐姆不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.492" 長 x 0.492" 寬（12.50mm x 12.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.315"（8.00mm）標準包裝:1 DR127-821 功能描述:820μH Shielded Wirewound Inductor 650mA 1.47 Ohm Nonstandard 制造商:eaton 系列:DR 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:820μH 容差:±20% 額定電流:650mA 電流 - 飽和值:1.27A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.47 歐姆不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.492" 長 x 0.492" 寬（12.50mm x 12.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.315"（8.00mm）標準包裝:1 DR127-820-R 功能描述:82μH Shielded Wirewound Inductor 2.09A 143 mOhm Nonstandard 制造商:eaton 系列:DR 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:82μH 容差:±20% 額定電流:2.09A 電流 - 飽和值:4.06A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:143 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.492" 長 x 0.492" 寬（12.50mm x 12.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.315"（8.00mm）標準包裝:1 DR14-250-M DR150BN DR-15-12 DR-15-15 DR-15-24 DR-15-5 DR161BN DR161MX DR16K3.5_INVAR_B&W DR16K3.5_INVAR_B&W_V DR16K3.5_INVAR_B&W_V4 DR1719D DR18-205B-C DR18-205-C DR18-206B-C DR18-206B-M DR18-206-C DR18-206-M