ECJ2VB2A102K

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

ECJ2VB2A102K
深圳市亞泰盈科電子有限公司
深圳市亞泰盈科電子有限公司
聯(lián)系人：鄭小姐
電話：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田區(qū)佳和大廈B座1410-1411
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5665000
PANASONIC/松下
SMD
15+ROHS
-
自家原裝現(xiàn)貨優(yōu)勢(shì)價(jià)格出售長(zhǎng)期供應(yīng)

ECJ2VB2A102K
深圳市金嘉旭貿(mào)易有限公司
深圳市金嘉旭貿(mào)易有限公司
聯(lián)系人：金
電話：0755-832599640755-23884416
地址：中航北苑A座7A5
6473
PANA
N/A
18+
-
進(jìn)口原裝特價(jià)出售

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ECJ2VB2A102K 技術(shù)參數(shù)

ECI-2 功能描述:Component Insulator Capacitors, Electrolytic Circular 0.005" (0.13mm) Clear 制造商:bivar inc. 系列:ECI 零件狀態(tài):有效類型:絕緣體形狀:圓形使用:電容器，電解材料:聚酯顏色:透明特性:- 長(zhǎng)度:- 寬度:- 高度:0.005"（0.13mm）直徑 - 外部:0.831"（21.10mm）直徑 - 內(nèi)部:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 ECH8655R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 4.5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:16.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECH8654-TL-H 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:38 毫歐 @ 3A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:11nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:960pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECH8651R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECH8620-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2A，1.5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:260 毫歐 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:13.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:650pF @ 20V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECJ-2VB2A681K ECJ-2VB2A682K ECJ-2VB2D102K ECJ-2VB2D152K ECJ-2VB2D221K ECJ-2VB2D222K ECJ-2VB2D331K ECJ-2VB2D332K ECJ-2VB2D471K ECJ-2VB2D472K ECJ-2VB2D681K ECJ-2VC1H010C ECJ-2VC1H020C ECJ-2VC1H030C ECJ-2VC1H040C ECJ-2VC1H050C ECJ-2VC1H060D ECJ-2VC1H070D