F1962G MSOP10

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F1962G MSOP10 技術(shù)參數(shù)

F-195X 功能描述:POWER XFMR CHASSIS MOUNT W/LEADS 制造商:triad magnetics 系列:- 零件狀態(tài):有效類型:疊片核心電壓 - 初級(jí):115V 電壓 - 次級(jí)（滿負(fù)載）:15.5V，32V 電流 - 輸出（最大值）:750mA，250mA 初級(jí)繞組:單一次級(jí)繞組:雙中心抽頭:是功率 - 最大值:19.63 VA 安裝類型:底座安裝端子類型:導(dǎo)線引線大小/尺寸:95.25mm 長(zhǎng) x 47.63mm 寬高度 - 安裝（最大值）:57.15mm 電壓 - 隔離:1500Vrms 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8 F1956NBGI 功能描述:RF Attenuator 31.75dB ±0.1dB 0 ~ 4GHz 50 Ohm 1.5W 32-WFQFN Exposed Pad 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件狀態(tài):有效衰減值:31.75dB 容差:±0.1dB 頻率范圍:0 ~ 4GHz 功率（W）:1.5W 阻抗:50 歐姆封裝/外殼:32-WFQFN 裸露焊盤標(biāo)準(zhǔn)包裝:490 F1953NCGI 功能描述:RF Attenuator 32.4dB @ 400MHz ~ 4GHz 400MHz ~ 4GHz 20-VFQFN Exposed Pad 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件狀態(tài):有效衰減值:32.4dB @ 400MHz ~ 4GHz 容差:- 頻率范圍:400MHz ~ 4GHz 功率（W）:- 阻抗:- 封裝/外殼:20-VFQFN 裸露焊盤標(biāo)準(zhǔn)包裝:490 F1951NBGI 功能描述:RF Attenuator 32.5dB @ 100MHz ~ 4GHz 100MHz ~ 4GHz 24-WFQFN Exposed Pad 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件狀態(tài):有效衰減值:32.5dB @ 100MHz ~ 4GHz 容差:- 頻率范圍:100MHz ~ 4GHz 功率（W）:- 阻抗:- 封裝/外殼:24-WFQFN 裸露焊盤標(biāo)準(zhǔn)包裝:490 F1950NBGI 功能描述:RF Attenuator 33dB @ 150MHz ~ 4GHz 150MHz ~ 4GHz 24-WFQFN Exposed Pad 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件狀態(tài):有效衰減值:33dB @ 150MHz ~ 4GHz 容差:- 頻率范圍:150MHz ~ 4GHz 功率（W）:- 阻抗:- 封裝/外殼:24-WFQFN 裸露焊盤標(biāo)準(zhǔn)包裝:490 F-198U F1ABXN-1B08-10F F1ABXN-1B08-10S F1ABXN-6408-10F F1ABXN-6408-10S F1ABXO-1B08-10F F1ABXO-1B08-10S F1ABXO-6408-10F F1ABXO-6408-10S F1ABZN-1B08-10F F1ABZN-1B08-10S F1ABZN-6408-10F F1ABZN-6408-10S F1ABZO-1B08-10F F1ABZO-1B08-10S F1ABZO-6408-10F F1ABZO-6408-10S F1ACXN-6408-10F