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GA16V8B/D

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GA16V8B/D 技術(shù)參數(shù)
  • GA16JT17-247 功能描述:TRANS SJT 1700V 16A TO-247AB 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:結(jié)式晶體管,常閉 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1700V(1.7kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):16A(Tc)(90°C) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):110 毫歐 @ 16A 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:282W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 GA15IDDJT22-FR4 功能描述:- Power Management, Gate Driver Evaluation Board 制造商:genesic semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):有效 主要用途:電源管理,柵極驅(qū)動(dòng)器 嵌入式:- 使用的 IC/零件:- 主要屬性:隔離 輔助屬性:- 所含物品:板 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 GA-14 功能描述:1700pF 10000V(10kV) 陶瓷電容器 Z5T 按鈕 1.575" 直徑 x 0.630" 長(zhǎng)(40.00mm x 16.00mm) 制造商:tdk corporation 系列:GA 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電容:1700pF 容差:±10% 電壓 - 額定:10000V(10kV) 溫度系數(shù):Z5T 安裝類型:需要支座 工作溫度:10°C ~ 85°C 應(yīng)用:通用 等級(jí):- 封裝/外殼:按鈕 大小/尺寸:1.575" 直徑 x 0.630" 長(zhǎng)(40.00mm x 16.00mm) 高度 - 安裝(最大值):- 厚度(最大值):- 引線間距:- 特性:高電壓,低耗散因子 引線形式:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 GA10SICP12-263 功能描述:TRANS SJT 1200V 25A TO263-7 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:結(jié)式晶體管,常閉 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):25A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):100 毫歐 @ 10A 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1403pF @ 800V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-8,D2Pak(7 引線+接片),TO-263CA 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK(7-Lead) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 GA10SICP12-247 功能描述:SIC CO-PACK SJT/RECT 10A 1.2KV 制造商:genesic semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):有效 類型:- 配置:- 電流:10A 電壓:1200V 電壓 - 隔離:- 封裝/外殼:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 GA-2 GA2.2K3A1A GA2.2K3A1IA GA2.2K3D210 GA200-001PD GA200-005WD GA200-010WD GA200-015WD GA200SA60S GA200SA60U GA20JT12-247 GA20JT12-263 GA20SICP12-247 GA20SICP12-263 GA242QR7E2102MW01L GA242QR7E2471MW01L GA243DR7E2472MW01L GA243DR7E2473MW01L
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