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IRFP130

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  • IRFP130
    IRFP130

    IRFP130

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • HAR

  • TO-39

  • 05+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • IRFP130N
    IRFP130N

    IRFP130N

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • 原廠(chǎng)品牌

  • 原廠(chǎng)封裝

  • 09/10+

  • -

  • IRFP130
    IRFP130

    IRFP130

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人：賴(lài)先生

    電話(huà)：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座27樓2702號(hào)

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 26000

  • IR

  • TO-247

  • 2024+

  • -

  • 絕對(duì)現(xiàn)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共8條 
  • 1
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  • 制造商
  • SAMSUNG
  • 制造商全稱(chēng)
  • Samsung semiconductor
  • 功能描述
  • N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRFP130 技術(shù)參數(shù)
  • IRF840 功能描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:850 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:39nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:832pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IRF830 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 2.7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:610pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IRF820 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:315pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IRF740 功能描述:MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 5.3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:43nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IRF730 功能描述:MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1 歐姆 @ 3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:530pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IRFP150NPBF IRFP150PBF IRFP15N60LPBF IRFP17N50L IRFP17N50LPBF IRFP21N60L IRFP21N60LPBF IRFP22N50A IRFP22N50APBF IRFP22N60C3PBF IRFP22N60K IRFP22N60KPBF IRFP23N50L IRFP23N50LPBF IRFP240 IRFP240PBF IRFP244 IRFP244PBF
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