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JANS1N4106

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • JANS1N4106CUR-1
    JANS1N4106CUR-1

    JANS1N4106CUR-1

  • 深圳市銘昌源科技有限公司
    深圳市銘昌源科技有限公司

    聯(lián)系人：優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨代理商

    電話：0755-82774613鄧先生（13480915249）微信同步0755-82774613鄧先生

    地址：深圳市福田區(qū)工發(fā)路上步管理大廈501棟501室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 55325

  • Microchip Technology

  • SMD

  • 22+

  • -

  • 優(yōu)勢(shì)代理，公司現(xiàn)貨可開票

  • JANS1N4106-1
    JANS1N4106-1

    JANS1N4106-1

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號(hào)儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • DO-204AH

  • 23+

  • -

  • 微芯專營優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

  • JANS1N4106UR-1
    JANS1N4106UR-1

    JANS1N4106UR-1

  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號(hào)金盛廣場1棟613室

  • 3000

  • 微芯

  • QFP

  • 20+

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨

  • JANS1N4106UR-1
    JANS1N4106UR-1

    JANS1N4106UR-1

  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/韓先生

    電話：010-86398446-8061581080972213911315253

    地址：北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號(hào)樓603室

  • 160

  • MICROCHIP

  • N/A ㊣品

  • N/A 原裝進(jìn)口

  • -

  • 代理渠道可追溯現(xiàn)貨庫存F

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES
JANS1N4106 技術(shù)參數(shù)
  • JANS1N4105UR-1 功能描述:Zener Diode 11V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50nA @ 8.5V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANS1N4100-1 功能描述:Zener Diode 7.5V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 5.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANS1N4099-1 功能描述:Zener Diode 6.8V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 5.2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANS1N3595US 功能描述:Diode Standard 200mA (DC) Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:- 電流 - 平均整流（Io）:200mA（DC） 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信號(hào) =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:3μs 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1nA @ 125V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應(yīng)商器件封裝:B，SQ-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANS1N3595-1 功能描述:Diode Standard 125V 200mA (DC) Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:125V 電流 - 平均整流（Io）:200mA（DC） 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信號(hào) =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:3μs 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1nA @ 125V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANS1N4469US JANS1N4471US JANS1N4474 JANS1N4476 JANS1N4568A-1 JANS1N4568AUR-1 JANS1N4569A-1 JANS1N4614-1 JANS1N4615UR-1 JANS1N4618UR-1 JANS1N4627UR-1 JANS1N4960US JANS1N4962US JANS1N4965US JANS1N4971US JANS1N4972US JANS1N4991 JANS1N4992
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