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JANS1N6352US

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JANS1N6352US 技術參數
  • JANS1N6329US 功能描述:Zener Diode 16V 500mW ±5% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):16V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):12 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 12V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,B 供應商器件封裝:B,SQ-MELF 標準包裝:1 JANS1N6328US 功能描述:Zener Diode 15V 500mW ±5% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):15V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 11V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,B 供應商器件封裝:B,SQ-MELF 標準包裝:1 JANS1N6328 功能描述:Zener Diode 15V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):15V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 11V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANS1N6326US 功能描述:Zener Diode 12V 500mW ±5% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 9V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,B 供應商器件封裝:B,SQ-MELF 標準包裝:1 JANS1N6324US 功能描述:Zener Diode 10V 500mW ±5% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):500 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,B 供應商器件封裝:B,SQ-MELF 標準包裝:1 JANS1N6638 JANS1N6640 JANS1N6640US/TR JANS1N6642 JANS1N6661 JANS1N6661US JANS1N6662US JANS1N6677UR-1 JANS1N6761UR-1 JANS1N938B-1 JANS1N938BUR-1 JANS1N941B-1 JANS1N943BUR-1 JANS2N2221AUBC JANS2N2222A JANS2N2222AUBC JANS2N2369AUB JANS2N2369AUBC
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