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JANTXV1N8211

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JANTXV1N8211 技術參數
  • JANTXV1N759DUR-1 功能描述:Zener Diode 12V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 9V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTXV1N759D-1 功能描述:Zener Diode 12V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 9V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANTXV1N759CUR-1 功能描述:Zener Diode 12V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 9V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTXV1N759C-1 功能描述:Zener Diode 12V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 9V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANTXV1N759AUR-1 功能描述:Zener Diode 12V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 9V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTXV1N829UR-1 JANTXV1N914 JANTXV1N914UR JANTXV1N935B-1 JANTXV1N941B-1 JANTXV1N942B-1 JANTXV1N943B-1 JANTXV1N962B-1 JANTXV1N962BUR-1 JANTXV1N962C-1 JANTXV1N962CUR-1 JANTXV1N962D-1 JANTXV1N962DUR-1 JANTXV1N963B-1 JANTXV1N963C-1 JANTXV1N963CUR-1 JANTXV1N963D-1 JANTXV1N963DUR-1
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