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M5M51016RT-10LL-I

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  • 制造商
  • MITSUBISHI
  • 制造商全稱
  • Mitsubishi Electric Semiconductor
  • 功能描述
  • 1048576-BIT(65536-WORD BY 16-BIT)CMOS STATIC RAM
M5M51016RT-10LL-I 技術(shù)參數(shù)
  • M5LV-512/256-7SAI 功能描述:CPLD - 復(fù)雜可編程邏輯器件 PROGRAM HI DENSITY CPLD RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲(chǔ)類型:EEPROM 大電池?cái)?shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時(shí)間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100 M5LV-512/256-7SAC 功能描述:CPLD - 復(fù)雜可編程邏輯器件 PROGRAM HI DENSITY CPLD RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲(chǔ)類型:EEPROM 大電池?cái)?shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時(shí)間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100 M5LV-512/256-6SAC 功能描述:CPLD - 復(fù)雜可編程邏輯器件 PROGRAM HI DENSITY CPLD RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲(chǔ)類型:EEPROM 大電池?cái)?shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時(shí)間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100 M5LV-512/256-20SAI 功能描述:CPLD - 復(fù)雜可編程邏輯器件 PROGRAM HI DENSITY CPLD RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲(chǔ)類型:EEPROM 大電池?cái)?shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時(shí)間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100 M5LV-512/256-15SAI 功能描述:CPLD - 復(fù)雜可編程邏輯器件 PROGRAM HI DENSITY CPLD RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲(chǔ)類型:EEPROM 大電池?cái)?shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時(shí)間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100 M6,TRBL M6,TRGR M6,TRGY M6,TRRD M60 M60/2 M60100 M602-025.0M M602-040.0M M602-049.152M M6020C-2D M6020C-2S M60-30 M6035C-E3/45 M6035P-E3/45 M6044-2-1 M6044-2-3 M6044-3-1
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