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MBI5030GFN

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  • MBI5030GFN
    MBI5030GFN

    MBI5030GFN

    現(xiàn)貨
  • 集好芯城
    集好芯城

    聯(lián)系人：張育豪 13360528695

    電話：0755-23607487

    地址：深圳市福田區(qū)華富路1006號 航都大廈11樓一層

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • MBI

  • QFN-24

  • 22+

  • -

  • 原廠原裝現(xiàn)貨

  • MBI5030GFN
    MBI5030GFN

    MBI5030GFN

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • MBI

  • QFN

  • 最新批號

  • -

  • 代理此型號.原裝特價現(xiàn)貨！

  • MBI5030GFN
    MBI5030GFN

    MBI5030GFN

  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：134242936540755-83690762

    地址：深圳市福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場A座1503

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5845

  • MBI

  • QFN

  • 12+

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨/特價

  • MBI5030GFN
    MBI5030GFN

    MBI5030GFN

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人：雷小姐

    電話：0755-2391507123915070（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務(wù)）

    地址：華強(qiáng)街道賽格廣場55樓5566室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 22950

  • MBI

  • QFN24

  • 2020+

  • -

  • 大中華區(qū)授權(quán)代理可接受訂貨

  • MBI5030GFN
    MBI5030GFN

    MBI5030GFN

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人：張先生/雷小姐

    電話：0755-8279802015814679726（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務(wù)）

    地址：華強(qiáng)街道賽格廣場55樓5566室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 30000

  • MBI

  • QFN24

  • 21+

  • -

  • 原廠授權(quán)，價格超越代理！

  • 1/1頁 40條/頁 共11條 
  • 1
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MBI5030GFN 技術(shù)參數(shù)
  • MBH7045C-6R8NA=P3 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 2.7A 33.6 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:MBH7045C 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:6.8μH 容差:±30% 額定電流:2.7A 電流 - 飽和值:2.5A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:33.6 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:- 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.284" 長 x 0.284" 寬（7.20mm x 7.20mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.189"（4.80mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MBH7045C-680MA=P3 功能描述:68μH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 210 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:MBH7045C 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:68μH 容差:±20% 額定電流:1.1A 電流 - 飽和值:780mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:210 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:- 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.284" 長 x 0.284" 寬（7.20mm x 7.20mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.189"（4.80mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MBH7045C-4R7NA=P3 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 3.2A 27.6 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:MBH7045C 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:4.7μH 容差:±30% 額定電流:3.2A 電流 - 飽和值:2.7A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:27.6 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:- 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.284" 長 x 0.284" 寬（7.20mm x 7.20mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.189"（4.80mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MBH7045C-470MB=P3 功能描述:47μH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 180 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:MBH7045C 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:47μH 容差:±20% 額定電流:1.1A 電流 - 飽和值:1.2A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:180 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:- 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.284" 長 x 0.284" 寬（7.20mm x 7.20mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.189"（4.80mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MBH7045C-470MA=P3 功能描述:47μH Shielded Wirewound Inductor 1.3A 150 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:MBH7045C 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:47μH 容差:±20% 額定電流:1.3A 電流 - 飽和值:940mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:150 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:- 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.284" 長 x 0.284" 寬（7.20mm x 7.20mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.189"（4.80mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MBKK1608H1R5M MBKK1608H2R2M MBKK1608H3R3M MBKK1608H4R7M MBKK1608HR24N MBKK1608HR47N MBKK1608HR68N MBKK1608T1R0M MBKK1608T1R5M MBKK1608T2R2M MBKK1608T3R3M MBKK1608T4R7M MBKK1608TR24N MBKK1608TR47N MBKK1608TR68N MBKK2012T1R0M MBKK2012T1R5M MBKK2012T2R2M
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