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MCH3431-G-TL-E

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
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  • 說明
  • 操作
  • MCH3431-G-TL-E
    MCH3431-G-TL-E

    MCH3431-G-TL-E

  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：134242936540755-83690762

    地址：深圳市福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場A座1503

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • SANYO

  • MCPH3

  • 15+

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨/特價

  • MCH3431-G-TL-E
    MCH3431-G-TL-E

    MCH3431-G-TL-E

  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話：0755-88608801多線17727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 11630

  • SANYO

  • 原廠原裝

  • 18+

  • -

  • 原裝正品，優(yōu)勢供應(yīng)

  • MCH3431-G-TL-E
    MCH3431-G-TL-E

    MCH3431-G-TL-E

  • 深圳市軒盛達電子有限公司
    深圳市軒盛達電子有限公司

    聯(lián)系人：陳

    電話：1588932848313924772445

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道深南中路3006號佳和華強大廈五樓5C103

  • 10000

  • -

  • 原廠原裝現(xiàn)貨，代找緊缺料

  • MCH3431-G-TL-E
    MCH3431-G-TL-E

    MCH3431-G-TL-E

  • 甄芯網(wǎng)
    甄芯網(wǎng)

    聯(lián)系人：柯先生/趙小姐

    電話：0755-83665813

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907 門市部：中航路都會電子3C002B

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 30000

  • SANYO

  • SOT-323

  • 08NOPB

  • -

  • 可供更多

  • 1/1頁 40條/頁 共17條 
  • 1
MCH3431-G-TL-E PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)
MCH3431-G-TL-E 技術(shù)參數(shù)
  • MCH3427-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 4A MCPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:52 毫歐 @ 2A，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:400pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:3-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH3421-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 100V 0.8A MCPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:800mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:890 毫歐 @ 400mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:165pF @ 20V 功率 - 最大值:900mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:3-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH3377-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A MCPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:83 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:375pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:3-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH185FN473ZK 功能描述:0.047μF 50V 陶瓷電容器 Y5V（F） 0603（1608 公制） 0.063" 長 x 0.031" 寬（1.60mm x 0.80mm） 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 電容:0.047μF 容差:-20%，+80% 電壓 - 額定:50V 溫度系數(shù):Y5V（F） 安裝類型:表面貼裝，MLCC 工作溫度:-30°C ~ 85°C 應(yīng)用:通用 等級:- 封裝/外殼:0603（1608 公制） 大小/尺寸:0.063" 長 x 0.031" 寬（1.60mm x 0.80mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.035"（0.90mm） 厚度（最大值）:- 引線間距:- 特性:- 引線形式:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 MCH185FN472ZK 功能描述:4700pF 50V 陶瓷電容器 Y5V（F） 0603（1608 公制） 0.063" 長 x 0.031" 寬（1.60mm x 0.80mm） 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 電容:4700pF 容差:-20%，+80% 電壓 - 額定:50V 溫度系數(shù):Y5V（F） 安裝類型:表面貼裝，MLCC 工作溫度:-30°C ~ 85°C 應(yīng)用:通用 等級:- 封裝/外殼:0603（1608 公制） 大小/尺寸:0.063" 長 x 0.031" 寬（1.60mm x 0.80mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.035"（0.90mm） 厚度（最大值）:- 引線間距:- 特性:- 引線形式:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 MCH3477-TL-W MCH3478-S-TL-H MCH3478-TL-H MCH3478-TL-W MCH3478-TL-W-Z MCH3479-TL-H MCH3479-TL-W MCH3481-TL-H MCH3481-TL-W MCH3484-TL-H MCH3484-TL-W MCH3486-TL-H MCH3486-TL-W MCH38FK102J MCH38FK102J-Y MCH38FK271J MCH38FK271J-Y MCH38FK331J
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