MLD6501

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MLD6501 技術參數(shù)

MLD2N06CLT4G 功能描述:MOSFET 10V 4.4A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube MLD2N06CLT4 功能描述:MOSFET 10V 4.4A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube MLD2016S4R7MTD25 功能描述:INDUCTORS FOR POWER CIRCUITS,AUT 制造商:tdk corporation 系列:MLD 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售類型:多層材料 - 磁芯:鐵氧體電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:750mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:325 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:2MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0806（2016 公制）供應商器件封裝:0806（2016 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.063" 寬（2.00mm x 1.60mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 MLD2016S3R3MTD25 功能描述:INDUCTORS FOR POWER CIRCUITS,AUT 制造商:tdk corporation 系列:MLD 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售類型:多層材料 - 磁芯:鐵氧體電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:800mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:299 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:2MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0806（2016 公制）供應商器件封裝:0806（2016 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.063" 寬（2.00mm x 1.60mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 MLD2016S2R2MTD25 功能描述:INDUCTORS FOR POWER CIRCUITS,AUT 制造商:tdk corporation 系列:MLD 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售類型:多層材料 - 磁芯:鐵氧體電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:900mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:221 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:2MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0806（2016 公制）供應商器件封裝:0806（2016 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.063" 寬（2.00mm x 1.60mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 MLE-105-01-G-DV MLE-105-01-G-DV-A MLE-105-01-G-DV-A-P MLE-105-01-G-DV-A-P-TR MLE-106-01-G-DV MLE-106-01-G-DV-A MLE-107-01-G-DV MLE-107-01-G-DV-A MLE-107-01-G-DV-A-K-TR MLE-107-01-G-DV-P-TR MLE-108-01-G-DV MLE-108-01-G-DV-A MLE-109-01-G-DV MLE-110-01-G-DV MLE-110-01-G-DV-A MLE-111-01-G-DV MLE-111-01-G-DV-A-P MLE-112-01-G-DV