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MT47H32M8BP-37E ES
深圳市華芯盛世科技有限公司
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北京元坤偉業(yè)科技有限公司
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MT47H32M8BP-37E ES 技術參數(shù)

MT47H32M8BP-3:B TR 功能描述:IC DDR2 SDRAM 256MBIT 3NS 60FBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 MT47H32M16U67A3WC1 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DDR2 DEFINITION 16MM X 22MM-208 PBGA - Trays MT47H32M16NF-25E IT:H TR 功能描述:IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 84FBGA 制造商:micron technology inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售存儲器類型:易失存儲器格式:DRAM 技術:SDRAM - DDR2 存儲容量:512Mb （32M x 16）時鐘頻率:400MHz 寫周期時間 - 字，頁:15ns 訪問時間:400ps 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:84-TFBGA 供應商器件封裝:84-FBGA（8x12.5）標準包裝:1 MT47H32M16HW-25E:G 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MB 84FBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步存儲容量:4.5M（256K x 18）速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x20）包裝:托盤 MT47H32M16HW-25E IT:G 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MB 84FBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8）包裝:帶卷 (TR) MT47H512M4THN-25E:M MT47H512M4THN-25E:M TR MT47H512M4THN-3:E TR MT47H512M4THN-3:H MT47H512M4THN-37E:E TR MT47H512M8WTR-25E:C MT47H512M8WTR-25E:C TR MT47H512M8WTR-3:C MT47H64M16B7-37E:A MT47H64M16B7-37E:A TR MT47H64M16B7-5E:A MT47H64M16B7-5E:A TR MT47H64M16BT-3:A TR MT47H64M16BT-37E:A MT47H64M16BT-5E:A MT47H64M16HR-187E:H MT47H64M16HR-187E:H TR MT47H64M16HR-25 IT:H