NP110N04PUJ

配單專家企業(yè)名單

型號
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數(shù)量
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封裝
批號
價格
說明
操作

NP110N04PUJ-E1B-AY
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
RENESAS E
REEL
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

NP110N04PUJ
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯(lián)系人：劉小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導體
D2PAK/TO-263
25+
-
國產品牌，替代進口

NP110N04PUJ
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
NEC
TO-263
最新批號
-
一級代理，原裝正品現(xiàn)貨??！

NP110N04PUJ
甄芯網(wǎng)
甄芯網(wǎng)
聯(lián)系人：柯先生/趙小姐
電話：0755-83665813
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907 門市部：中航路都會電子3C002B
資質：營業(yè)執(zhí)照
22000
NEC
TO-263
-
特價型號專營銷售

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制造商
RENESAS
制造商全稱
Renesas Technology Corp
功能描述
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

NP110N04PUJ 技術參數(shù)

NP04SZB4R7N 功能描述:4.7μH Shielded Inductor 1.6A 100 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體電感:4.7μH 容差:±30% 額定電流:1.6A 電流 - 飽和值:1.8A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:100 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:27MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm）標準包裝:10 NP04SZB2R2N 功能描述:2.2μH Shielded Inductor 2.5A 42 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體電感:2.2μH 容差:±30% 額定電流:2.5A 電流 - 飽和值:2.7A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:42 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:60MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm）標準包裝:10 NP04SZB220M 功能描述:22μH Shielded Inductor 770mA 300 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體電感:22μH 容差:±20% 額定電流:770mA 電流 - 飽和值:770mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:300 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:10MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm）標準包裝:10 NP04SZB1R0N 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 3.2A 30 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:1μH 容差:±30% 額定電流:3.2A 電流 - 飽和值:4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:30 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:96MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm）標準包裝:10 NP04SZB100M 功能描述:10μH Shielded Inductor 1.2A 130 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體電感:10μH 容差:±20% 額定電流:1.2A 電流 - 飽和值:1.3A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:130 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:15MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm）標準包裝:10 NP1300SAT3G NP1300SBMCT3G NP1300SBT3G NP1300SCMCT3G NP1300SCT3G N-P-141(40) N-P-141-2(A)(40) N-P15 N-P150 NP1500SAMCT3G NP1500SAT3G NP1500SBMCT3G NP1500SBT3G NP1500SCMCT3G NP1500SCT3G NP15P04SLG-E1-AY NP15P06SLG-E1-AY NP160N04TDG-E1-AY