PHDR-08-VS

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PHDR-08-VS 技術參數(shù)

PHDR-08VS 功能描述:8 Position Rectangular Housing Connector Receptacle Natural 0.079" (2.00mm) 制造商:jst sales america inc. 系列:PHD 包裝:散裝零件狀態(tài):有效連接器類型:插座觸頭類型:母形插口針腳數(shù):8 間距:0.079"（2.00mm）排數(shù):2 排距:0.079"（2.00mm）安裝類型:自由懸掛觸頭端接:壓接緊固類型:- 顏色:自然色特性:- 備注:不提供觸點標準包裝:1,000 PHDMI2F4 功能描述:TVS DIODE 4.6VC 10XSON 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售類型:轉向裝置（軌至軌）單向通道:4 電壓 - 反向關態(tài)（典型值）:- 電壓 - 擊穿（最小值）:6V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:4.6V（標準）電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:5.2A（8/20μs）功率 - 峰值脈沖:- 電源線路保護:是應用:HDMI 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:10-XFDFN 供應商器件封裝:10-DFN2510（2.5x1）標準包裝:1 PHD71NQ03LT,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 75A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:13.2nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1220pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:120W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標準包裝:1 PHD45NQ15T,118 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRENCH-150 RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 PHD33NQ20T,118 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRENCH-200 RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 PHDR-28VS PHDR-30VS PHDR-32VS PHDR-34VS PHE.1B.310.CLLD42Z PHE.3K.303.CYMK13 PHE.3K.330.CYMC85 PHE.4K.320.CYMC13 PHE.4K.320.CYMC95 PHE13003A,126 PHE13003A,412 PHE13003C,126 PHE13003C,412 PHE13005,127 PHE13005X,127 PHE13005X/01,127 PHE13007,127 PHE13009,127