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PMBFJ309 T/R

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
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PMBFJ309 T/R PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 射頻JFET晶體管 TAPE7 FET-RFSS
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 配置
  • Single
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 漏源電壓 VDS
  • 40 V
  • 閘/源截止電壓
  • 5 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 40 V
  • 最大漏極/柵極電壓
  • 40 V
  • 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）
  • 25 mA to 75 mA
  • 漏極連續(xù)電流
  • 功率耗散
  • 250 mW
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • SOT-23
  • 封裝
  • Reel
PMBFJ309 T/R 技術(shù)參數(shù)
  • PMBFJ177,215 功能描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:P 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:1.5mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:800mV @ 10nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8pF @ 10V（VGS） 電阻 - RDS（開(kāi)）:300 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMBFJ176,215 功能描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:P 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:2mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:1V @ 10nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8pF @ 10V（VGS） 電阻 - RDS（開(kāi)）:250 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMBFJ175,215 功能描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:P 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:7mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:3V @ 10nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8pF @ 10V（VGS） 電阻 - RDS（開(kāi)）:125 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMBFJ174,215 功能描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:P 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:20mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:5V @ 10nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8pF @ 10V（VGS） 電阻 - RDS（開(kāi)）:85 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMBFJ113,215 功能描述:JFET N-CH 40V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:2mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:3V @ 1μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6pF @ 10V（VGS） 電阻 - RDS（開(kāi)）:100 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMBT2222A,215 PMBT2222A,235 PMBT2222AYSX PMBT2369,215 PMBT2369,235 PMBT2907,215 PMBT2907A,215 PMBT2907A,235 PMBT2907A/DLTR PMBT2907A/MIGR PMBT2907A/MIGVL PMBT2907AYSX PMBT3904,215 PMBT3904,235 PMBT3904/8,215 PMBT3904M,315 PMBT3904MB,315 PMBT3904VS,115
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免責(zé)聲明：以上所展示的PMBFJ309 T/R信息由會(huì)員自行提供，PMBFJ309 T/R內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

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