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PME 5218T P

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  • 制造商
  • Ericsson
  • 功能描述
PME 5218T P 技術(shù)參數(shù)
  • PMDXB950UPEZ 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:500mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:43pF @ 10V 功率 - 最大值:265mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商器件封裝:DFN1010B-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMDXB950UPELZ 功能描述:20 V, DUAL P-CHANNEL TRENCH MOSF 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:500mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:43pF @ 10V 功率 - 最大值:380mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商器件封裝:DFN1010B-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMDXB950UPE 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchFET? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:500mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:43pF @ 10V 功率 - 最大值:265mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN（1.1x1） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMDXB600UNEZ 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:600mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:620 毫歐 @ 600mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:21.3pF @ 10V 功率 - 最大值:265mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商器件封裝:DFN1010B-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMDXB600UNELZ 功能描述:20 V, DUAL N-CHANNEL TRENCH MOSF 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:600mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:620 毫歐 @ 600mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:21.3pF @ 10V 功率 - 最大值:380mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商器件封裝:DFN1010B-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PME264NE6100MR30 PME271E510MR30 PME271E522MR30 PME271E547MR30 PME271E610MR30 PME271E622KR30 PME271ED6100MR30 PME271ED6150KR30 PME271ED6220KR30 PME271M422MR30 PME271M447MR30 PME271M510MR30 PME271M522MR30 PME271M533MR30 PME271M547MR19T0 PME271M547MR30 PME271M568MR30 PME271M610MR30
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