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PMN38EN,135

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  • PMN38EN,135
    PMN38EN,135

    PMN38EN,135

  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯(lián)系人:李先生

    電話:0755-292759351581559886118576729816

    地址:廣東省 深圳市 福田區(qū) 華強北賽格科技園6C18室

  • 82490

  • NXP

  • SC-74

  • 新年份

  • -
  • 一級代理全新原裝現(xiàn)貨特價!

  • PMN38EN,135
    PMN38EN,135

    PMN38EN,135

  • 深圳市企諾德電子有限公司
    深圳市企諾德電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:13480313979

    地址:深圳市福田區(qū)華強北路1002號賽格廣場54樓5403B-5404AB

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • NXP

  • N/A

  • 22+

  • -
  • 原裝正品 專業(yè)BOM配單

  • 1/1頁 40條/頁 共11條 
  • 1
PMN38EN,135 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 5.4A 6-Pin
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
PMN38EN,135 技術參數(shù)
  • PMN35EN,125 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5.1A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):31 毫歐 @ 5.1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):9.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):334pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 供應商器件封裝:6-TSOP 標準包裝:1 PMN34UP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):23nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1950pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):540mW(Ta),6.25W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):40 毫歐 @ 2.4A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 標準包裝:1 PMN34UN,135 功能描述:MOSFET N-CH 30V 4.9A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.9A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):46 毫歐 @ 2A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):9.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):790pF @ 25V 功率 - 最大值:1.75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 供應商器件封裝:6-TSOP 標準包裝:1 PMN34LN,135 功能描述:MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5.7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):34 毫歐 @ 2.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):13.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):500pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 供應商器件封裝:6-TSOP 標準包裝:1 PMN30XPX 功能描述:MOSFET P-CH 20V SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5.2A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):23nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1575pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):550mW(Ta), 6.25W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):34 毫歐 @ 5.2A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 標準包裝:1 PMN45EN,165 PMN48XP,115 PMN48XP,125 PMN48XPAX PMN49EN,135 PMN49EN,165 PMN50UPE,115 PMN50XP,165 PMN52XPX PMN55LN,135 PMN6-3R-2K PMN6-5R-2K PMN70EPEX PMN70XPE,115 PMN70XPEAX PMN70XPX PMN80XP,115 PMNF1-3F-3K
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