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配單專(zhuān)家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

STB6NC90Z
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
ST
TO
07/08+
-
假一罰十，百分百原裝正品

STB6NC90ZT4
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
聯(lián)系人：李林
電話：0755-8251939113714584659李先生（可開(kāi)13%增票，3
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北電子科技大夏A座36樓C09
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
18530
ST
TO-263
23+
-
全新原裝正品現(xiàn)貨

STB6NC90Z-1
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
ST
TO
07/08+
-
假一罰十，百分百原裝正品

STB6NC90Z
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯(lián)系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F
16800
ST/意法
TO-262
22+
-
每一片都來(lái)自原廠，正品保證

STB6NC90Z
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：吳經(jīng)理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30
69880
ST
TO263
2021+
-
★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

STB6NC90Z
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：劉小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無(wú)錫市新區(qū)新梅路68號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
D2PAK/TO-263
24+
-
國(guó)產(chǎn)品牌，替代進(jìn)口

STB6NC90Z
深圳市琦凌凱科技有限公司
深圳市琦凌凱科技有限公司
聯(lián)系人：彭先生
電話：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號(hào)賽格科技園4棟中10層10A19
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
6000
ST
TO-263
22+
-
十年配單，只做原裝

STB6NC90Z
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
8650000
ST
TO-263
最新批號(hào)
-
一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

STB6NC90ZT4
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
聯(lián)系人：苗鳳軍
電話：17623594308
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
3051
ST
TO263
2231+
-
十年專(zhuān)營(yíng)，供應(yīng)原裝正品！熱賣(mài)現(xiàn)貨！

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共28條
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制造商
STMICROELECTRONICS
制造商全稱(chēng)
STMicroelectronics
功能描述
N-CHANNEL 900V - 1.55ohm - 5.4A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET

STB6NC90Z 技術(shù)參數(shù)

STB6N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 4.5A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:7.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:255pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB6N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 4A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.35 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:9.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:226pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB6N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.2 歐姆 @ 2.25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:232pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB6N52K3 功能描述:MOSFET N-CH 525V 5A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:525V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.2 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:26nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:670pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB60NF10T4 功能描述:MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:104nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4270pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB70NH03LT4 STB75N20 STB75NF20 STB75NF75LT4 STB75NF75T4 STB75NH02LT4 STB76NF75 STB76NF80 STB78NF55-08 STB7ANM60N STB7N52K3 STB7NK80Z-1 STB7NK80ZT4 STB80N20M5 STB80N4F6AG STB80NE03L-06T4 STB80NF03L-04-1 STB80NF03L-04T4