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STD20NE06T4

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • STD20NE06T4
    STD20NE06T4

    STD20NE06T4

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話(huà):010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ST

  • TO-252

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • STD20NE06T4
    STD20NE06T4

    STD20NE06T4

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人:張先生

    電話(huà):0755-23903058

    地址:深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • ST/意法

  • SOT252

  • 22+

  • -
  • 每一片都來(lái)自原廠,正品保證

  • STD20NE06T4
    STD20NE06T4

    STD20NE06T4

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話(huà):19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • ST

  • SOT252

  • 14+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • STD20NE06T4
    STD20NE06T4

    STD20NE06T4

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話(huà):0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • ST

  • TO-252

  • 最新批號(hào)

  • -
  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨!

  • STD20NE06T4
    STD20NE06T4

    STD20NE06T4

  • 深圳市源運(yùn)電子商行
    深圳市源運(yùn)電子商行

    聯(lián)系人:林先生

    電話(huà):15913992480

    地址:深圳市龍崗區(qū)板田街道荔園新村55棟1樓

  • 35000

  • ◤優(yōu)勢(shì)◥ST

  • SOT252

  • 16+

  • -
  • STD20NE06T4
    STD20NE06T4

    STD20NE06T4

  • 深圳市華金瑞電子有限公司
    深圳市華金瑞電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話(huà):15323844149

    地址:中航路華強(qiáng)電子世界三店佳和電子市場(chǎng)

  • 3000

  • STM

  • TO-252(原盤(pán))

  • 03

  • -
  • 100%原裝!優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨庫(kù)存

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共21條 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 60V 20A
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
STD20NE06T4 技術(shù)參數(shù)
  • STD20N20T4 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):125 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):39nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):940pF @ 25V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:- 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線(xiàn)+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD2045CTR 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 45V 20A Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 二極管配置:1 對(duì)共陰極 二極管類(lèi)型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):45V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):20A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):580mV @ 10A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2mA @ 45V 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線(xiàn)+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD20150TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 150V DPAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管類(lèi)型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):150V 電流 - 平均整流(Io):- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.55V @ 20A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:200μA @ 150V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線(xiàn)+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD1NK80ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 800V 1A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):1A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):16 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):7.7nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):160pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線(xiàn)+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD1NK80Z-1 功能描述:MOSFET N-CH 800V 1A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):1A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):16 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):7.7nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):160pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線(xiàn),IPak,TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STD21W-4 STD21W-5 STD21W-6 STD21W-7 STD21W-8 STD21W-9 STD21W-A STD21W-B STD21W-C STD21W-D STD21W-E STD21W-F STD21W-G STD21W-H STD21W-I STD21W-J STD21W-K STD21W-L
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