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STI-9602B

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
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  • 數(shù)量
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  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
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  • 操作
  • STI-9602B
    STI-9602B

    STI-9602B

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • QFP

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • STI-9602B
    STI-9602B

    STI-9602B

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • 原廠原裝

  • QFP

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • STI-9602B
    STI-9602B

    STI-9602B

  • 深圳市鵬拓發(fā)展電子
    深圳市鵬拓發(fā)展電子

    聯(lián)系人:馬先生 林先生 馬小姐

    電話:0755-82773839

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華聯(lián)發(fā)大廈六樓635房

  • 100

  • SEC

  • QFP

  • 15+

  • -
  • 全新香港貨源,專營(yíng)QFP BGA QFN

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共6條 
  • 1
STI-9602B PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
STI-9602B 技術(shù)參數(shù)
  • STI8N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):600 毫歐 @ 3.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):690pF @ 100V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STI76NF75 功能描述:MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):75V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):11 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):160nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3700pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STI6N90K5 功能描述:N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):6A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA Vgs(最大值):±30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):110W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.1 歐姆 @ 3A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3 整包,I2Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STI6N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.6 歐姆 @ 2A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):7.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):255pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STI6N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 5.5A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):620V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):5.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.2 歐姆 @ 2.8A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):875pF @ 50V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STIEC45-26ACS STIEC45-26AS STIEC45-27AS STIEC45-28ACS STIEC45-28AS STIEC45-30ACS STIEC45-30AS STIEC45-33ACS STIEC45-33AS STIFP218735N024KOR STIFP218740N024KOR STIFP218745N024KOR STIFP218750N024KOR STIK STIL02-P5 STIL04-P5 STIL04-T5 STIL06-T5/R
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