STL54003

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說明
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STL54003
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
ST
MLP
05+
-
假一罰十，百分百原裝正品

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共4條
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您是不是要找： STL55NH3LL STL56N3LLH5 STL57N65M5 STL58N3LLH5 STL5N80K5 STL-600-3-01 STL-600-8-01 STL60N10F7 STL60N32N3LL

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STL54003 技術(shù)參數(shù)

STL52N25M5 功能描述:MOSFET N-CH 250V 28A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:28A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:47nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1770pF @ 50V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL51N3LLH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 51A POWERFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:51A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14.5 毫歐 @ 6.3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:724pF @ 25V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL50NH3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 27A PWRFLAT6X5 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:27A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 6.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:965pF @ 25V 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（6x5）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL50DN6F7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 57A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:57A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 7.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1035pF @ 30V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL4P3LLH6 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? H6 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:56 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:639pF @ 25V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-PowerWDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（2x2）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL60N3LLH5 STL60NH3LL STL60P4LLF6 STL-6-250-3-01 STL-6-250-8-01 STL62P3LLH6 STL-6-350-3-01 STL-6-350-8-01 STL-6-450-3-01 STL-6-450-8-01 STL65DN3LLH5 STL65N3LLH5 STL-6-600-3-01 STL-6-600-8-01 STL66DN3LLH5 STL66N3LLH5 STL-6-750-3-01 STL-6-750-8-01