STL71L

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STL71L
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯(lián)系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F
16800
ST/意法
TO-92
22+
-
每一片都來(lái)自原廠，正品保證

STL71L
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
ST
TO92
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STL71L 技術(shù)參數(shù)

STL70N4LLF5 功能描述:MOSFET N-CH 40V 18A PWRFLAT 6X5 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:70A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:13nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1800pF @ 25V 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（6x5）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL70N10F3 功能描述:MOSFET N CH 100V 82A PWRFLAT 5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:82A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8.4 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3210pF @ 25V 功率 - 最大值:136W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL6P3LLH6 功能描述:MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? H6 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最?。?不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1450pF @ 25V 功率 - 最大值:2.9W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（3.3x3.3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL6NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5.75A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5.75A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:920 毫歐 @ 2.3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:420pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFLAT?（5x5）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL6N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V PWRFLT2X2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最?。?不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:3.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:283pF @ 24V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-PowerWDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（2x2）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL7DN6LF3 STL7LN80K5 STL7N10F7 STL7N60M2 STL7N6F7 STL7N6LF3 STL7N80K5 STL7NM60N STL80N3LLH6 STL80N4LLF3 STL80N75F6 STL-8-250-12-01 STL-8-250-16-01 STL-8-250-20-01 STL-8-250-3-01 STL-8-250-8-01 STL-8-350-12-01 STL-8-350-16-01