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STP45N10FI

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  • 說明
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  • STP45N10FI
    STP45N10FI

    STP45N10FI

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ST

  • 220

  • 02+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • STP45N10FI
    STP45N10FI

    STP45N10FI

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:何芝

    電話:19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 4810

  • ST

  • TO-220

  • 13+

  • -
  • 原裝正品現(xiàn)貨庫存

  • STP45N10FI
    STP45N10FI

    STP45N10FI

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ST

  • TO-220F

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • STP45N10FI
    STP45N10FI

    STP45N10FI

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 1523

  • ST

  • TO-220

  • 2024+

  • -
  • 代理原裝現(xiàn)貨假一賠十

  • STP45N10FI
    STP45N10FI

    STP45N10FI

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人:廖小姐

    電話:13410012158

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)華強北上航大廈西座四層

  • 5000

  • ST

  • TO-220F

  • 10+

  • -
  • 原裝現(xiàn)貨優(yōu)勢庫存

  • 1/1頁 40條/頁 共25條 
  • 1
STP45N10FI PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • STMICROELECTRONICS
  • 制造商全稱
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • N - CHANNEL 100V - 0.027ohm - 45A - TO-220/TO-220FI POWER MOS TRANSISTOR
STP45N10FI 技術參數(shù)
  • STP45N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 45A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VII 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):45A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):18 毫歐 @ 22.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1640pF @ 50V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP43N60DM2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):34A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):93 毫歐 @ 17A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):56nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2500pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP42N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 33A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):33A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):79 毫歐 @ 16.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4650pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 STP42N60M2-EP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A EP TO220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):34A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):87 毫歐 @ 17A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):55nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2370pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP40NF20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 40A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):75nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2500pF @ 25V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP4N150 STP4N52K3 STP4N62K3 STP4N80K5 STP4N90K5 STP4NB100 STP4NB50 STP4NB80 STP4NK50Z STP4NK50ZD STP4NK50ZFP STP4NK60Z STP4NK60ZFP STP4NK80Z STP4NK80ZFP STP50NE08 STP50NE10 STP50NF25
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