STP75NF75(MOR)

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

STP75NF75(MOR)
深圳市佳鑫特電子有限公司
深圳市佳鑫特電子有限公司
聯(lián)系人：陳
電話：134105056520755-83512964
地址：深圳市福田區(qū)佳和大廈B座2311
8800
ST
TO-220
11+
-
原廠原包裝現(xiàn)貨

STP75NF75(MOR)
深圳市華盛錦科技有限公司
深圳市華盛錦科技有限公司
聯(lián)系人：雷小姐
電話：0755-2391507123915070（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務(wù)）
地址：華強(qiáng)街道賽格廣場(chǎng)55樓5566室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
80000
ST
TO-220
2020+
-
只做原裝正品.承諾假一賠百.開(kāi)增值稅發(fā)票

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共2條
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您是不是要找： STP75NF75FP STP75NS04Z STP76NF75 STP77N6F6 STP78N75F4 STP78NF55-08 STP7LN80K5 STP7N105K5 STP7N52DK3

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STP75NF75(MOR) 技術(shù)參數(shù)

STP75NF75 功能描述:MOSFET N-CH 75V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:160nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3700pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP75NF20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 75A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 37A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:84nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3260pF @ 25V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP75N75F4 功能描述:MOSFET N CH 75V 78A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? 包裝:管件零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:78A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 39A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:76nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5015pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP75N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:管件零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.9 毫歐 @ 37.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:23.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2030pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP75N20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 75A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 37A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:84nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3260pF @ 25V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 STP7N52K3 STP7N60M2 STP7N65M2 STP7N80K5 STP7N90K5 STP7N95K3 STP7NB60 STP7NK30Z STP7NK40Z STP7NK40ZFP STP7NK80Z STP7NK80ZFP STP7NM50N STP7NM60N STP7NM80 STP80N10F7 STP80N20M5 STP80N6F6