您好,歡迎來到買賣IC網 登錄 | 免費注冊
您現(xiàn)在的位置:買賣IC網 > S字母型號搜索 >

STT75DS2F

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • STT75DS2F
    STT75DS2F

    STT75DS2F

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ST

  • MSOP-8

  • 07+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • STT75DS2F
    STT75DS2F

    STT75DS2F

  • 深圳市科思奇電子科技有限公司
    深圳市科思奇電子科技有限公司

    聯(lián)系人:林小姐/歐陽先生

    電話:0755-832450508278593918923762408微信同號

    地址:深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)501棟1109-1110室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 150

  • ST

  • MSOP-8

  • 20+

  • -
  • 科思奇現(xiàn)貨庫存

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
STT75DS2F PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
STT75DS2F 技術參數
  • STT6N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):6A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):25 毫歐 @ 3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):283pF @ 24V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 供應商器件封裝:SOT-23-6 標準包裝:1 STT5N2VH5 功能描述:MOSFET N-CH 20V SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):30 毫歐 @ 2A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250μA(最?。?不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):367pF @ 16V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 供應商器件封裝:SOT-23-6 標準包裝:1 STT4PF20V 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.7V 驅動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):110 毫歐 @ 1.5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):600mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):7.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):500pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 供應商器件封裝:SOT-23-6 標準包裝:1 STT4P3LLH6 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? H6 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):56 毫歐 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):639pF @ 25V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 供應商器件封裝:SOT-23-6 標準包裝:1 STT3PF30L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):165 毫歐 @ 1.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):420pF @ 25V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 供應商器件封裝:SOT-23-6 標準包裝:1 STTA1512PIRG STTA2006P STTA2006PI STTA2006PIRG STTA212S STTA2512P STTA3006CW STTA3006P STTA3006PIRG STTA306B-TR STTA312B STTA406 STTA406RL STTA506B STTA506B-TR STTA506D STTA512B STTA512F
配單專家

在采購STT75DS2F進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規(guī)避購買STT75DS2F產品風險,建議您在購買STT75DS2F相關產品前務必確認供應商資質及產品質量。

免責聲明:以上所展示的STT75DS2F信息由會員自行提供,STT75DS2F內容的真實性、準確性和合法性由發(fā)布會員負責。買賣IC網不承擔任何責任。

買賣IC網 (beike2008.cn) 版權所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術有限公司 | 粵公網安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號