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STW80N05

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  • 操作
  • STW80N05
    STW80N05

    STW80N05

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ST

  • TO-247

  • 06+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • STW80N05
    STW80N05

    STW80N05

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 14562

  • ST

  • TO-3P

  • 2024+

  • -
  • 絕對現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共14條 
  • 1
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  • 制造商
  • 未知廠家
  • 制造商全稱
  • 未知廠家
  • 功能描述
  • TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-247
STW80N05 技術(shù)參數(shù)
  • STW80H150C 功能描述:SCHOTTKY RECTIFIER 150V TO-247AD 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):150V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):40A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:910mV @ 40A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:300μA @ 150V 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247AD 標準包裝:1 STW7NK90Z 功能描述:MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5.8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2 歐姆 @ 2.9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):60.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1350pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 STW7N95K3 功能描述:MOSFET N-CH 950V 7.2A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):950V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):7.2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.35 歐姆 @ 3.6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1031pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 STW7N90K5 功能描述:N-CHANNEL 800 V, 0.75 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):7A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA Vgs(最大值):±30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):110W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 封裝/外殼:TO-247-3 標準包裝:30 STW7N105K5 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 4A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1050V(1.05kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2 歐姆 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):380pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 STW81200T STW81200TR STW82100BTR STW82101B STW82101BTR STW82102B STW82102BTR STW82103B STW82103BTR STW88N65M5 STW88N65M5-4 STW8B12C-AABL STW8C2SA-J19K24-EA STW8C2SA-J19K24-GA STW8C2SA-J19K24-HA STW8C2SA-J19K26-CA STW8C2SA-K21K26-BA STW8N90K5
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