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VLS252012MNT-2R2M

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  • 深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
    深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:2394575513590206539

    地址:深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室

  • 23500

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  • 2022+

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  • 十年芯途,只做原裝,實單可以支持。075...

  • VLS252012MNT-2R2M
    VLS252012MNT-2R2M

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

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  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:134242936540755-83690762

    地址:深圳市福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場A座1503

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 6888

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  • 15/16+

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  • 原裝現(xiàn)貨/特價

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  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯(lián)系人:彭先生

    電話:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田區(qū)華強北都會大廈A座19樓19G

  • 8913

  • TDK

  • SMD2520

  • 13+

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  • 絕對公司原裝現(xiàn)貨

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VLS252012MNT-2R2M 技術(shù)參數(shù)
  • VLS252012HBX-R68M-1 功能描述:680nH Shielded Wirewound Inductor 3.7A 46 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLS-HBX-1 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:金屬 電感:680nH 容差:±20% 額定電流:3.7A 電流 - 飽和值:3.23A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):46 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.047"(1.20mm) 標準包裝:1 VLS252012HBX-R47M-1 功能描述:470nH Shielded Wirewound Inductor 4.5A 35 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLS-HBX-1 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:金屬 電感:470nH 容差:±20% 額定電流:4.5A 電流 - 飽和值:4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):35 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.047"(1.20mm) 標準包裝:1 VLS252012HBX-R33M-1 功能描述:330nH Shielded Wirewound Inductor 5.25A 31 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLS-HBX-1 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:金屬 電感:330nH 容差:±20% 額定電流:5.25A 電流 - 飽和值:4.04A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):31 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.047"(1.20mm) 標準包裝:1 VLS252012HBX-R24M-1 功能描述:240nH Shielded Wirewound Inductor 6.4A 29 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLS-HBX-1 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:金屬 電感:240nH 容差:±20% 額定電流:6.4A 電流 - 飽和值:4.25A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):29 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.047"(1.20mm) 標準包裝:1 VLS252012HBX-6R8M-1 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 1.15A 372 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLS-HBX-1 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:金屬 電感:6.8μH 容差:±20% 額定電流:1.15A 電流 - 飽和值:940mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):372 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.047"(1.20mm) 標準包裝:1 VLS252015ET-100M-CA VLS252015ET-1R0N VLS252015ET-1R0N-CA VLS252015ET-1R5N VLS252015ET-1R5N-CA VLS252015ET-2R2M VLS252015ET-2R2M-CA VLS252015ET-3R3M VLS252015ET-3R3M-CA VLS252015ET-4R7M VLS252015ET-4R7M-CA VLS252015ET-6R8M VLS252015ET-6R8M-CA VLS252015T-100MR66 VLS252015T-1R0N1R7 VLS252015T-1R5N1R4 VLS252015T-2R2M1R2 VLS252015T-3R3M1R0
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