VNSD10

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

VNSD10
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
IDT
SSOP-24
最新批號
-
代理此型號.原裝特價現貨！

VNSD10
深圳市柏新電子科技有限公司
深圳市柏新電子科技有限公司
聯系人：林小姐//方先生
電話：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知
21
N/A
SOP
2012+
-
只做原裝正品。

1/1頁 40條/頁共9條
1

您是不是要找： VNT50 VNT50F VNV10N07 VNV10N0713TR VNV10N07-E VNV10N07TR-E VNV14N04 VNV14N04-E VNV20N07

VNSD10 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

VNSD10 技術參數

VNS7NV04TR-E 功能描述:MOSFET N-Ch 40V 6A OmniFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VNS7NV04PTR-E 功能描述:MOSFET OMNIFET II VIPower 60mOhm 6A 40V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VNS7NV04-E 功能描述:MOSFET N-Ch 40V 6A OmniFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VNS3NV04TR-E 功能描述:MOSFET N-Ch 40V 3.5A Omni RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VNS3NV04PTR-E 功能描述:MOSFET OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VNV20N0713TR VNV20N07-E VNV20N07TR-E VNV28N04 VNV28N04-E VNV28N04TR-E VNV35N07 VNV35N0713TR VNV35N07-E VNV35N07TR-E VNV35NV04 VNV35NV0413TR VNV35NV04-E VNV35NV04TR-E VNV49N04 VNV49N0413TR VNW100N04 VNW50N04