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AO4800

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  • MOSFET
AO4800 技術參數(shù)
  • AO4772 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:二極管(隔離式) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):6A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):30 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):310pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:3,000 AO4771L 功能描述:MOSFET P-CH W/DIODE 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):350pF @ 15V FET 功能:肖特基二極管(體) 功率耗散(最大值):2W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):68 毫歐 @ 4A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-SOIC 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 標準包裝:3,000 AO4771 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:二極管(隔離式) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):68 毫歐 @ 4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):350pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:3,000 AO4752 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,肖特基,金屬氧化物! FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):15A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8.8 毫歐 @ 15A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):605pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 AO4728 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,肖特基,金屬氧化物! FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.3 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):72nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4463pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 AO4803AL AO4803L AO4805 AO4805L_101 AO4806 AO4806L AO4807 AO4807_101 AO4807L AO4812_101 AO4812L AO4812L_101 AO4813 AO4813_002 AO4818B AO4818BL_101 AO4818L AO4821
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