APT15GP90BDQ1

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封裝
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說明
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制造商
ADPOW
制造商全稱
Advanced Power Technology
功能描述
POWER MOS 7 IGBT

APT15GP90BDQ1 技術(shù)參數(shù)

APT15GP60KG 功能描述:IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:56A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):65A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.7V @ 15V，15A 功率 - 最大值:250W 開關(guān)能量:130μJ（開），121μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:55nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:8ns/29ns 測(cè)試條件:400V，15A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220 [K] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 APT15GP60BG 功能描述:IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:56A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):65A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.7V @ 15V，15A 功率 - 最大值:250W 開關(guān)能量:130μJ（開），121μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:55nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:8ns/29ns 測(cè)試條件:400V，15A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT15GP60BDQ1G 功能描述:IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:56A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):65A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.7V @ 15V，15A 功率 - 最大值:250W 開關(guān)能量:130μJ（開），120μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:55nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:8ns/29ns 測(cè)試條件:400V，15A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT15GP60BDLG 功能描述:IGBT 600V 56A 250W TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):不適用於新設(shè)計(jì) IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:56A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):65A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.7V @ 15V，15A 功率 - 最大值:250W 開關(guān)能量:130μJ（開），121μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:55nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:8ns/29ns 測(cè)試條件:400V，15A，5 歐姆，15V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT15GN120KG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 45A 195W Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:45A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):45A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，15A 功率 - 最大值:195W 開關(guān)能量:410μJ（開），950μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:90nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:10ns/150ns 測(cè)試條件:800V，15A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220 [K] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT15S20KCTG APT15S20KG APT1608CGCK APT1608EC APT1608F3C APT1608LSECK/J3-PRV APT1608LSECK/J4-PRV APT1608LSYCK/J3-PRV APT1608LVBC/D APT1608LZGCK APT1608MGC APT1608PBC/A APT1608PBC/Z APT1608PGW APT1608PYW APT1608QBC/D APT1608QBC/G APT1608SECK