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APT30S20B

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  • 制造商
  • ADPOW
  • 制造商全稱
  • Advanced Power Technology
  • 功能描述
  • HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE
APT30S20B 技術(shù)參數(shù)
  • APT30N60KC6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 30A TO-220 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):30A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):125 毫歐 @ 14.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 960μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):88nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2267pF @ 25V 功率 - 最大值:219W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 [K] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 APT30N60BC6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 30A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):30A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):125 毫歐 @ 14.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 960μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):88nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2267pF @ 25V 功率 - 最大值:219W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT30M85BVRG 功能描述:MOSFET N-CH 300V 40A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):300V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):85 毫歐 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):195nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4950pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT30M85BVFRG 功能描述:MOSFET N-CH 300V 40A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):300V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):85 毫歐 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):195nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4950pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT30M70SVRG 功能描述:MOSFET N-CH 300V 48A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):300V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):48A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):225nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5870pF @ 25V 功率 - 最大值:370W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-268-3,D3Pak(2 引線+接片),TO-268AA 供應(yīng)商器件封裝:D3 [S] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT31N80JC3 APT3216CGCK APT3216EC APT3216LSECK/J3-PRV APT3216LSECK/J4-PRV APT3216LSYCK/J3-PRV APT3216LVBC/D APT3216LZGCK APT3216MGC APT3216PBC/A APT3216QBC/D APT3216SECK APT3216SECK/J3-PRV APT3216SECK/J4-PRV APT3216SGC APT3216SRCPRV APT3216SURCK APT3216SYCK
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