APT40GT60BRG

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型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

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功能描述
IGBT 600V 80A 345W TO247
RoHS
是
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路
系列
Thunderbolt IGBT®
標(biāo)準(zhǔn)包裝
30
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
1200V
Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）
3V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
200A
功率 - 最大
830W
輸入類型
標(biāo)準(zhǔn)
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
PLUS247?-3
包裝
管件

APT40GT60BRG 技術(shù)參數(shù)

APT40GR120S 功能描述:IGBT NPT 1200V 88A 500W Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:88A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.2V @ 15V，40A 功率 - 最大值:500W 開關(guān)能量:1.38mJ（開），906μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:210nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:22ns/163ns 測試條件:600V，40A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40GR120B2SCD10 功能描述:IGBT NPT 1200V 88A 500W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:88A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.2V @ 15V，40A 功率 - 最大值:500W 開關(guān)能量:929μJ（開），1070μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:210nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:20ns/166ns 測試條件:600V，40A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40GR120B2D30 功能描述:IGBT NPT 1200V 88A 500W Through Hole TO-247-3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:88A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.2V @ 15V，40A 功率 - 最大值:500W 開關(guān)能量:1.38mJ（開），906μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:210nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:22ns/163ns 測試條件:600V，40A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40GR120B 功能描述:IGBT NPT 1200V 88A 500W Through Hole TO-247-3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:88A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.2V @ 15V，40A 功率 - 最大值:500W 開關(guān)能量:1.38mJ（開），906μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:210nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:22ns/163ns 測試條件:600V，40A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40GP90JDQ2 功能描述:IGBT Module PT Single 900V 64A 284W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:64A 功率 - 最大值:284W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.9V @ 15V，40A 電流 - 集電極截止（最大值）:350μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:3.3nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40SM120S APT41F100J APT41M80B2 APT41M80L APT42F50B APT42F50S APT43F60B2 APT43F60L APT43GA90B APT43GA90BD30 APT43M60B2 APT43M60L APT44F80B2 APT44F80L APT44GA60B APT44GA60BD30 APT44GA60BD30C APT45GP120B2DQ2G