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AUIRF7736M2

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  • 制造商
  • International Rectifier
  • 功能描述
AUIRF7736M2 技術(shù)參數(shù)
  • AUIRF7734M2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 17A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):17A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.9 毫歐 @ 43A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):72nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2545pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DirectFET? 等距 M2 供應(yīng)商器件封裝:DIRECTFET? M2 標準包裝:4,800 AUIRF7732S2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):14A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.95 毫歐 @ 33A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1700pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DirectFET? 等距 SC 供應(yīng)商器件封裝:DIRECTFET? SC 標準包裝:4,800 AUIRF7675M2TR 功能描述:MOSFET N-CH 150V 90A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):150V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.4A(Ta),18A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):32nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1360pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.7W(Ta),45W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):56 毫歐 @ 11A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DIRECTFET? M2 封裝/外殼:DirectFET? 等距 M2 標準包裝:1 AUIRF7669L2TR 功能描述:MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):19A(Ta),114A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.4 毫歐 @ 68A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):120nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5660pF @ 25V 功率 - 最大值:3.3W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DirectFET? 等距 L8 供應(yīng)商器件封裝:DIRECTFET L8 標準包裝:1 AUIRF7665S2TR 功能描述:MOSFET N-CH 100V 77A DIRECTFET2 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.1A(Ta),14.4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):62 毫歐 @ 8.9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 25μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):13nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):515pF @ 25V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DirectFET? 等距 SB 供應(yīng)商器件封裝:DIRECTFET SB 標準包裝:4,800 AUIRF7805QTR AUIRF8736M2TR AUIRF8739L2TR AUIRF9540N AUIRF9952Q AUIRF9952QTR AUIRF9Z34N AUIRFB3207 AUIRFB3806 AUIRFB4410 AUIRFB4610 AUIRFB8405 AUIRFB8407 AUIRFB8409 AUIRFBA1405 AUIRFL014N AUIRFL014NTR AUIRFL024N
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